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HB火博新材料股份有限公司（以下简称“HB火博新材”），原名HB火博半导体材料股份有限公司，是由北京有色金属研究总院独家发起，以募集方式设立的股份有限公司，于1999年3月成立并在上海证券交易所挂牌上市。HB火博新材注册资本84655.3332万元，注册地址北京市海淀区北三环中路43号。

低位错锗单晶

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低位错的锗单晶因其晶格完整的特性，主要用于Ⅲ -V族电池的衬底材料，并最终广泛应用于空间太阳能发电板。HB火博国晶辉采用直拉法生长的低位错锗单晶，具有大直径、零或低位错密度、高机械强度的特点。目前可提供的最大直径为4英寸。

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